La firma coreana SK Hynix, ha anunciado que comenzará a producir en masa chips HBM2E.
La tecnología “HBM” es un tipo de conexión para memoria DRAM de alta velocidad y gran ancho de banda. Se suele usar en GPUs de alto rendimiento y en sistemas de IA(Inteligencia Artificial).
“ El HBM2E de SK hynix admite más de 460 GB (Gigabyte) por segundo con 1.024 E / S (entradas / salidas) basadas en el rendimiento de velocidad de 3,6 Gbps (gigabits por segundo) por pin ”… “ La densidad es de 16GB al apilar verticalmente ocho chips de 16Gb a través de la tecnología TSV (Through Silicon Via), y es más del doble que la generación anterior (HBM2) “ anunció la compañía.
La firma facilitó las siguientes anotaciones:
■ HBM (memoria de ancho de banda alto)
- Productos de memoria de alto ancho de banda y alto rendimiento que adoptan la tecnología TSV para acelerar drásticamente la velocidad de procesamiento de datos en comparación con las DRAM tradicionales.
■ TSV (a través de Silicon Via)
- Una tecnología de interconexión que conecta los chips superior e inferior a través de miles de agujeros finos en el chip DRAM.
- Entrega datos, comandos y corrientes a través de rutas en forma de columna que penetran en todo el grosor de la oblea de silicio después de apilar múltiples chips DRAM en el chip buffer.
- Hasta un 30% de disminución en el tamaño y hasta un 50% de disminución en el consumo de energía sobre los métodos de embalaje existentes.
■ Estándares para la conversión de velocidad de proceso de datos
- 1 GB = 8Gb – 3.6 Gbps por pin con 1024 E / S de datos (entradas / salidas) = 3686.4 Gbps
- 3686.4 Gbps / 8 = 460.8 GB / s (Gb -> conversión de GB)
