[NOTA DE PRENSA] SK hynix lanza la primera DRAM DDR5 del mundo

[NOTA DE PRENSA]


SK hynix Inc. (o ‘la Compañía’, www.skhynix.com ) anunció el lanzamiento de la primera DRAM DDR5 del mundo. Es un producto de alta velocidad y alta densidad optimizado para Big Data, Inteligencia Artificial (AI) y aprendizaje automático (ML) como estándar de próxima generación de DRAM.

Desde que SK hynix anunció el desarrollo de la primera DRAM DDR5 de 16 Gigabit (Gb) del mundo en noviembre de 2018, la compañía ha proporcionado productos de muestra a sus principales socios, incluido Intel, y ha completado varias pruebas y verificaciones de sus funciones y compatibilidad. Esto permitirá a SK hynix proporcionar a sus clientes los productos una vez que el mercado DDR5 se active.

Mientras tanto, SK hynix ha realizado una operación conjunta de laboratorio in situ, prueba a nivel de sistema y simulación con fabricantes de System-on-Chip 1 ) (SoC) para verificar las funciones de DDR5. Además, la Compañía validó la compatibilidad de su DDR5 y los componentes principales en el módulo DRAM, incluido el controlador de reloj de registro 2 ) (RCD), que afecta el rendimiento de la DRAM, y el circuito integrado de administración de energía 3 ) (PMIC). A través de estas verificaciones, SK hynix ha estado colaborando estrechamente con sus socios globales.

La DDR5 de SK hynix admite una tasa de transferencia de 4,800 ~ 5,600 Megabit por segundo (Mbps), que es 1.8 veces más rápida que la generación anterior, DDR4. Puede transmitir 9 películas full-HD (FHD) (5GB cada una) por segundo con una tasa de transferencia de 5.600 Mbps. Su voltaje de funcionamiento es de 1.1V siendo rebajado de 1.2V de DDR4, lo que significa que su consumo de energía se reduce en un 20%.

Otra especificación notable del DDR5 de la compañía es el código de corrección de errores (ECC) dentro del chip que puede corregir incluso errores de nivel de 1 bit por sí mismo. Con el ECC, la confiabilidad de las aplicaciones se incrementará 20 veces. La DDR5 de la empresa también podría acumular hasta 256 Gigabytes (GB) de capacidad aplicando tecnología a través de silicio (TSV).

La Compañía espera que estas memorias semiconductoras ecológicas reduzcan tanto el consumo de energía como los costos operativos de los centros de datos, ya que DDR5 consume menos energía y mejora significativamente su confiabilidad.

“Intel se asoció estrechamente con líderes en memoria, incluido SK hynix, en el desarrollo de especificaciones DDR5, comenzando con los primeros conceptos de arquitectura a través de la estandarización JEDEC”, comentó Carolyn Duran, vicepresidenta del Grupo de plataformas de datos de Intel y gerente general de tecnologías de memoria e IO. «Además, trabajamos en colaboración con SK hynix en el desarrollo de silicio mediante el diseño y la prueba de prototipos para garantizar que DDR5 cumpla con sus objetivos de rendimiento y esté completamente listo para nuestros clientes mutuos».

“Dado que SK hynix ha lanzado la primera DRAM DDR5 del mundo, la compañía podría liderar la tendencia tecnológica futura en el mercado mundial de DRAM”, dijo Jonghoon Oh, vicepresidente ejecutivo y director de marketing (CMO) de SK hynix. «SK hynix se centrará en el mercado de servidores premium de rápido crecimiento, consolidando su posición como empresa líder en DRAM de servidor».

Mientras tanto, el estándar DDR5 fue publicado por JEDEC (Asociación de Tecnología de Estado Sólido de JEDEC) a principios de julio de 2020. Según el proveedor de inteligencia de mercado Omdia, la demanda de DDR5 comenzará su aumento en 2021 y poseerá el 10% del mercado DRAM global total en 2022 y aumentar al 43% en 2024.

Synopsys, Renesas, Montage Technology y Rambus también han manifestado su compromiso con la cooperación continua en la creación del ecosistema DDR5.

«Synopsys ha colaborado con SK hynix para ofrecer soluciones DDR5 altamente confiables para SoC de computación avanzada de alto rendimiento que requieren subsistemas de memoria ultrarrápidos y de alta capacidad», dijo John Koeter, vicepresidente senior de marketing y estrategia para IP en Synopsys. “Nuestro DesignWare DDR5 / 4 IP probado en silicio se ha validado con numerosos RDIMM SK hynix DDR5 de hasta 6400 Mbps, lo que ayuda a los diseñadores a minimizar el riesgo y cumplir con los requisitos de alto rendimiento de los SoC intensivos en datos”.

“Como proveedor líder de productos de interfaz de memoria para cada generación de memoria durante los últimos veinte años, nos enorgullecemos de los sólidos compromisos con nuestros socios y clientes clave. Renesas ha trabajado en estrecha colaboración con SK hynix para calificar una cartera completa de productos DDR5 para los mercados de servidores, clientes e integrados ”. Rami Sethi – Vicepresidente y Gerente General de la División de Negocios del Centro de Datos de Renesas

“Montage Technology se complace en asociarse con SK hynix para habilitar el ecosistema de memoria DDR5. Como proveedor líder, hemos colaborado con SK hynix a través de muchas generaciones de DDR y estamos comprometidos a proporcionar soluciones de interfaz de memoria de alto rendimiento y bajo consumo. Actualmente, Montage Technology ofrece una cartera completa de dispositivos lógicos DDR5; estamos entusiasmados de ayudar aún más a SK hynix a acelerar la adopción del mercado DDR5 ”, dijo Geof Findley, vicepresidente de ventas y desarrollo comercial de Montage Technology.

“Las cargas de trabajo de procesamiento intensivo en el centro de datos están acelerando la necesidad de una mayor capacidad de memoria y ancho de banda”, dijo Chien-Hsin Lee, vicepresidente y gerente general de Circuitos Integrados en Rambus. “DDR5 DRAM responde a la llamada con mayores velocidades de datos y nuevas innovaciones que aumentan drásticamente el rendimiento de la memoria. Al emplear una nueva generación de chips de interfaz de memoria, los RDIMM y LRDIMM DDR5 liberarán la potencia de procesamiento de las plataformas de servidor. Nos complace asociarnos con SK hynix para habilitar la tecnología de próxima generación para el ecosistema y satisfacer la creciente demanda de DDR5 «.

Anotación

■ SoC (System on Chip) Una solución de un solo chip que integra periféricos que se entrelazan con el bus del sistema y la unidad central de procesamiento (CPU).

■ RCD (Controlador de reloj de registro) Un elemento activo que se utiliza en RDIMM y LRDIMM para servidores, que asegura la calidad de la señal entre el transmisor y el receptor mediante la amplificación de los comandos y las señales de datos aplicadas a la memoria desde los controladores de memoria.

■ PMIC (Circuito integrado de administración de energía) Un circuito integrado que recibe la entrada de energía principal y la rectifica, divide y controla en un voltaje o corriente estable y eficiente requerido por la electrónica; PMIC se adopta en el módulo DRAM DDR5 por primera vez.